硅片(硅片抛光片与外延片区别是什么)

MG-Si提纯为SeG-Si提炼标准方法为：西门子工。MG-Si被转变为挥发性的化合物，接着采用分馏的方法将其冷凝被提纯。手工录入，忘采纳，有追问亦可。硅片抛光片与外延片区别是什么摘要：硅片可分为抛光片、外延片、SOI硅片等。抛光片可以用于制作存储芯片，功率器件，以及外延片的衬底材料。由于抛光原始颗粒细微、粒度尺寸小于可见光的波长，所以均匀地分布后形成外观透明或半透明的抛光膜。抛光片是最基础、应用范围最广的硅片。

硅片是如何提炼的？

硅片的等级：
MG-Si → SeG-Si → SoG-Si
提炼要经过一下过程：
石英砂→冶金级硅→提炼和精炼→沉积多晶硅锭→单晶硅→硅片切割。

冶金级硅MG-Si
提炼硅的原始材料是SiO2，主要是砂成分，目前采用SiO2的结晶岩即石灰岩，在大型的电弧炉中用碳还原：SiO2+2C→Si+2CO
定期倒出炉，用氧气、氧氯混合气体提纯，然后倒入浅槽在槽中凝固，随后被捣成块状。

MG-Si提纯为SeG-Si
提炼标准方法为：西门子工。
MG-Si被转变为挥发性的化合物，接着采用分馏的方法将其冷凝被提纯。
工艺程序：用Hcl把细碎的MG-Si变成流体
使用催化剂加速反应进行：Si+3Hcl→SiHcl3+H2
MG-Si →SiHcl3 硅胶工业原材料
为提取MG-Si可加热混合气体使SiHcl3 被H2还原，硅以细晶粒的多晶硅形成沉积到电加热棒上如右：SiHcl3+H2 →Si+3Hcl

SeG-Si提纯到SoG-Si
将SeG-Si多晶硅熔融，同时加入器件所需的微量参杂剂，通常采用硼（P型参杂剂）。
在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够成熔融的硅中拉出大圆柱形的单晶硅棒。直径过125cm长度为1~2m。

手工录入，忘采纳，有追问亦可。

硅片抛光片与外延片区别是什么

摘要：硅片可分为抛光片、外延片、SOI硅片等。抛光片（PW）：由单晶硅棒经过切割、研磨、抛光等工艺而产出。抛光片应用广泛，目前半导体行业所使用的硅片70%都为抛光片，既可直接用于制作存储芯片与功率器件等半导体器件，又可作为外延片、SOI片的衬底材料。接下来本文将简单介绍硅片抛光片与外延片区别是什么以及硅片抛光片用于哪里，快和我一起到文中来看看吧！一、硅片抛光片与外延片区别是什么
根据用途分类，半导体硅片可分为抛光片、退火片、外延片、结隔离片和以SOI硅片为代表的高端硅片。那么硅片抛光片与外延片区别是什么呢？
抛光片可以用于制作存储芯片，功率器件，以及外延片的衬底材料。外延片，是在抛光片的基础上生长了一层单晶硅，一般用于通用处理器芯片，二极管，以及igbt功率器件的制造。由于抛光原始颗粒细微、粒度尺寸小于可见光的波长，所以均匀地分布后形成外观透明或半透明的抛光膜。
二、硅片抛光片用于哪里
抛光片是用量最大的产品，其他的硅片产品都是在抛光片的基础上二次加工产生的。
抛光片是最基础、应用范围最广的硅片。抛光片可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，也可作为外延片、SOI硅片等其他类型硅片的衬底材料。
随着集成电路特征线宽的不断缩小，光刻精度日益精细，硅片上极其微小的不平整都会造成集成电路图形的形变和错位，硅片制造技术面临越来越高的要求和挑战，硅片表面颗粒度和洁净度对半导体产品的良率也有直接影响。
因此，抛光工艺对提高硅片表面的平整度和清洁度至关重要，主要原理为通过去除加工表面残留的损伤层，实现半导体硅片表面平坦化，减小粗糙度。